2022年，全球閃存市場面臨新一輪的變革。一方面，NAND廠商供應能力持續增長，主要廠商的供應能力節節攀升，但其增速已出現分化，隨著行業整合不斷加速，市場競爭格局將有較大調整。另一方面，在新基建、中國制造2025、自主可控等國家政策推動下，中國區閃存市場快速增長，同時中美貿易摩擦與技術脫鉤風險加劇，建立國內自主可控的閃存供應鏈已極為緊迫。

在這種情勢下，憶聯（Union Memory）于近日發布三款固態硬盤新品，包括UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD，標志著憶聯在企業級、消費級存儲市場均取得了新的突破。面對變革期的全球閃存市場，憶聯依托自研控制器、固件設計、封裝測試等核心技術，持續推出高性能、低延遲、高可靠性且各具差異化競爭力的固態硬盤新品，志在引領固態存儲行業新升級。

憶聯UH811a/UH831a：采用12nm自研控制器與智能多流技術，順序讀取速度高達7000/4200 MB/s，隨機讀寫速度高達1600K/300K IOPS

憶聯UH811a/UH831a系列ESSD支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標準協議，搭載YMTC 128L 3D eTLC閃存顆粒，順序讀取速度高達7000/4200 MB/s，隨機讀寫速度高達1600K/300K IOPS。同時，其存儲容量高達 7.68TB（U.2），專為高可用系統設計，并擁有超低延遲和高質量服務（QoS），平均讀寫時延低至96/14 μs。

值得一提的是，憶聯UH811a/UH831a系列ESSD采用12nm自研控制器，先進的制程工藝，性能更高而功耗、成本更低。而且，基于智能多流技術，將熱數據流與冷數據流分層存儲，提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本。

憶聯AM630系列CSSD采用PCIe Gen 4高速接口，是業界首款面向ODM客戶的PCIe Gen 4 CSSD。其順序讀寫速度高達3200/2400 MB/s，隨機讀寫速度高達420K/340K IOPS，滿足個人電腦、服務器、工業級個人電腦等應用需求。同時，其擁有M.2.2242與M.2.2280兩種規格，容量高達1TB，L1.2功耗小于3mW，空閑功耗小于50mW，工作功耗小于150mW，顯著提升設備續航時間。

憶聯AM521系列CSSD采用PCIe接口，順序讀寫速度高達2100/900 MB/s、SLC隨機讀寫速度高達156K/174K IOPS、TLC隨機讀寫速度高達90K/39K IOPS。同時，其擁有128GB、256GB兩種容量，重量最大僅3.5g，工作功耗小于4W，是各類追求高性價比應用的絕佳選擇。

目前，憶聯UH811a/UH831a系列ESSD，以及AM630、AM521系列CSSD均已實現量產。隨著這三大更具競爭力的新品推出，憶聯將為服務器、數據中心、個人電腦等應用提供更高性能、更低延遲、更高可靠性的解決方案，助力互聯網、信創行業、消費電子客戶實現商業成功。