支持PCIe Gen 4高速接口和NVMe 1.4標準協議
存儲容量高達 7.68TB（U.2），專為高可用系統設計
采用12nm自研控制器，先進的制程工藝，性能更高而功耗、成本更低
基于智能多流技術，將熱數據流與冷數據流分層存儲，提高ESSD的性能與使用壽命并降低成本
順序讀寫性能7000/4200 MB/s，隨機讀寫性能1600K/300K IOPS
超低延遲和高質量服務（QoS）
卓越的企業級可靠性：閃存RAID、端到端數據路徑保護、高級ECC、安全擦除、電源損失保護
支持PCIe Gen 4高速接口，采用憶聯自研主控和固件。其中，主控在關鍵數據路徑設置了多個硬件加速模塊，順序讀寫性能7000/4200 MB/s，隨機讀寫性能1600K/300K IOPS，平均讀寫時延僅96/14 μs，讀寫延遲、QoS等性能均處于行業領先水平。
采用多種智能算法，支持可變扇區、多流、原子寫、QoS等增強特性，動態、靜態結合磨損平衡算法有效延長硬盤壽命，雙重固件備份升級機制和掉電保護機制為客戶核心數據保駕護航。
支持1s固件升級在線激活，無需重新上下電。
支持通知熱插拔、暴力熱插拔，支持行業主流開源工具。
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型號 |
UH810a |
UH830a |
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閃存介質 |
3D eTLC |
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容量 |
1.92TB |
3.84TB |
7.68TB |
1.6TB |
3.2TB |
6.4TB |
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順序讀?。?/span>128KB） |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
7000MB/s |
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順序寫入（128KB） |
2500MB/s |
3800MB/s |
3800MB/s |
2700MB/s |
4200MB/s |
4200MB/s |
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隨機讀取IOPS（4KB） |
1300K |
1600K |
1600K |
1500K |
1660K |
1660K |
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隨機寫入IOPS（4KB） |
100K |
150K |
150K |
300K |
300K |
300K |
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數據寫入總量 |
3.50PB |
7.01PB |
14.02PB |
8.76PB |
17.52PB |
35.04PB |
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基本功能 |
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平均讀取時延（4KB） |
96μs |
96μs |
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平均寫入時延（4KB） |
17μs |
14μs |
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耐用等級（4K隨機） |
1 DWPD |
3 DWPD |
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功耗（靜態/最大） |
8.5W/21W |
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形態 |
U.2 |
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扇區大小 |
支持512/512+8/4096/4096+8/4096+64扇區 |
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掉電保護 |
支持 |
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產品升級 |
支持通過NVMe命令 |
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可靠性 |
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不可修復錯誤率 |
e10-17 |
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平均無故障工作時間 |
200萬小時 |
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年失效率 |
0.44% |
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數據保留（電源關閉） |
40℃，大于3個月 |
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質保期限 |
5年（不超過數據寫入總量） |
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標準 |
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接口協議 |
PCIe Gen 4*4，NVMe 1.4，SP*4 |
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TRIM |
支持 |
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環境參數 |
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存儲溫度 |
-40℃～85℃ |
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工作溫度 |
0℃~78℃ |
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濕度 |
5%~95%相對濕度，無冷凝 |
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海拔 |
工作：-305米~3048米 非工作：-305米~12192米 |
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振動 |
工作：2.17千兆赫（5 ~ 700赫茲） 存儲：3.13千兆赫（5 ~ 800赫茲） |
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沖擊 |
1000G@0.5ms（半正弦波） |
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供電 |
DC 12V，+/-10% |
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沖擊電流（最大值） |
<3A@1s |
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外觀 |
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尺寸 |
2.5英寸 |
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重量 |
<350g |
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